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来源：西安电子科技大学 党委宣传部
通讯员： 刘志宏
近日，在第十届国际第三代半导体论坛第二十一届中国国际半导体照明论坛（IFWS&SSLCHINA2024）开幕式上，2024年度中国第三代半导体技术十大进展重磅揭晓，其中西安电子科技大学第三代半导体创新中心“6-8英寸蓝宝石基氮化镓中高压电力电子器件技术实现重大突破”入选。
2024年度中国第三代半导体技术十大进展
西安电子科技大学第三代半导体创新中心郝跃院士课题组张进成教授、李祥东教授团队成功攻克了6-8英寸蓝宝石基GaN电力电子器件的外延、设计、制造和可靠性等系列难题，基于低翘曲超薄外延高质量双层钝化等创新方法实现1200V和1700V高性能GaN HEMT中试产品开发，通过HTRB、HTGB等可靠性评价。成果应用于致能科技等公司系列产品中，显著推动蓝宝石基GaN，成为中高压电力电子器件方案的有利竞争者，不仅代表了行业的技术前沿，也预示着产业发展的新方向，受到了与会代表的广泛关注和热烈讨论。
郝跃院士
陕西省创新驱动共同体名誉理事长郝跃
中国科学院院士，微电子学专家，西安电子科技大学副校长，博士生导师。国际IEEE学会高级会员，中国电子学会常务理事，陕西省科学技术协会副主席，陕西省半导体行业协会理事长。长期从事新型宽禁带半导体材料和器件、微纳米半导体器件与高可靠集成电路等方面的科学研究与人才培养，国家重大基础研究(973)计划项目首席科学家，国家有突出贡献的中青年专家和微电子技术领域的著名专家。
